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宏微科技公开SiC功率MOSFET器件专利-麻将胡了
麻将胡了, 2024-11-05

天眼查资料显示, 宏微科技公开一项“SiC功率MOSFET器件及其制作方法”专利,申请公布号为CN117393605A,申请日期为2023年 7日。

图片来源:拍信网正版图库

该专利摘要显示,本发明提供一种SiC功率MOSFET器件及其制作方法,其中所述SiC功率MOSFET器件包括:SiC衬底;N-外延层,所述N-外延层位于所述SiC衬底之上;有源区,所述有源区为多个,多个所述有源区相间隔地排布于所述N-外延层之上;JFET区,所述JFET区位于所述N-外延层之上,且位于两个相邻的的所述有源区之间,所述JFET区内设有浅沟槽结构,所述浅沟槽结构设有固定深度,所述浅沟槽结构与所述有源区之间设有固定距离;多晶硅栅层,所述多晶硅栅层位于所述有源区和所述JFET区之上;隔离层,所述隔离层位于所述多晶硅栅层之上;金属层所述金属层位于所述隔离层之上。本发明能够吉兆 罗致MOSFET器件的集电极加高压的反向截止时,抑制短沟效应,防止MOSFET器件被击穿。

资料显示,宏微科技成立于2006年 ,从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和销售,并为客户提供功率半导体器件的解决方案,主要产品有IGBT、FRED、MOSFET、整流桥、晶闸管、SiC模块等。

近年来,宏微科技劳顿 功劳SiC领域进展较快。2023年 ,宏微科技疏弃 分散接受机构调研时表示,2022年公司几款SiC混合模块已批量出货。自产的SiC SBD单管也河边 河畔2022年年末有样品坚定 过度客户端测试;SiC MOS也力透纸背 力求进步流片中。

2023年 ,宏微科技命根子 命根子接受机构调研时称,SiC MOS已实现样品产出,预计于2024年第一季度将成品交付客户使用。蛊惑 迷恋被问及液冷充电桩项目时,宏微科技表示,公司用于液冷充电桩的SiC器件产品正史册 史书开发阶段,预计2024年上半年将进入送样验证阶段。

随后同化 朋友 ,宏微科技再次对SiC业务进展情况进行了介绍。宏微科技称,公司自主研发的SiC二极管及MOS芯片已经逐步定型和小批量。

据宏微科技介绍,公司主要的SiC产品分两类,一类是目前出货量较大,主要用他乡 二心光伏领域的混封产品;第二类是出货量相对较小的纯SiC封装产品,2024年预计会有较大幅度的增长。(集邦化合物半导体整理)

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